Polysilikon je důležitý materiál pro rozprašovací terče.Použití metody magnetronového naprašování k přípravě SiO2 a dalších tenkých filmů může způsobit, že matricový materiál má lepší optickou, dielektrickou a korozivzdornou odolnost, což je široce používáno v dotykových obrazovkách, optických a dalších průmyslových odvětvích.
Proces odlévání dlouhých krystalů spočívá v realizaci směrového tuhnutí kapalného křemíku zdola nahoru postupně přesným řízením teploty ohřívače v horkém poli ingotové pece a odvodu tepla tepelně izolačního materiálu. rychlost tuhnutí dlouhých krystalů je 0,8~1,2 cm/h.Současně lze v procesu směrového tuhnutí realizovat segregační efekt kovových prvků v křemíkových materiálech, většinu kovových prvků lze čistit a vytvořit jednotnou strukturu polykrystalického křemíkového zrna.
Odlévací polysilikon je také potřeba ve výrobním procesu záměrně dopovat, aby se změnila koncentrace akceptorových nečistot v křemíkové tavenině.Hlavní příměs litého polysilikonu typu p v průmyslu je křemíková borová předslitina, ve které je obsah boru asi 0,025 %.Množství dopingu je určeno cílovým měrným odporem křemíkového plátku.Optimální měrný odpor je 0,02 ~ 0,05 Ω • cm a odpovídající koncentrace boru je asi 2 × 1014 cm-3. Segregační koeficient boru v křemíku je však 0,8, což bude vykazovat určitý segregační efekt v procesu směrového tuhnutí, tj. to znamená, že prvek boru je distribuován v gradientu ve vertikálním směru ingotu a měrný odpor se postupně snižuje od spodní části k horní části ingotu.
Čas odeslání: 26. července 2022